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當前位置:首頁技術文章?霍爾效應測試儀霍爾效應的測量是研究半導體的重要實驗方法

?霍爾效應測試儀霍爾效應的測量是研究半導體的重要實驗方法

更新時間:2025-12-22點擊次數:235

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霍爾效應測試儀產品簡介:

霍爾效應的測量是研究半導體的重要實驗方法。利用霍爾系數和電導率的聯合測量,變溫霍爾實驗儀可以用來確定半導體的導電類型和載流子濃度。通過測量霍爾系數與電導率溫度的變化,可以確定半導體的禁帶寬度、雜質電離能及遷移率的溫度系數等基本參數。

霍爾效應測試儀采用現代電子技術和計算機數據采集系統,對霍爾樣品鉆弱場條件下進行變溫霍爾系數和電導率的測量,來確定半導體材料的各種性質。

霍爾效應測試儀技術參數:

電  磁  鐵:0-300mT可調

勵磁電源:0-5A可調,可自動換向

穩  定  性:<±0.1%

數字特斯拉計:0-2000mT三位半數字顯示

恒流源輸出:1mA

穩  定  性:±0.1%

數據采集系統霍爾電壓測量分辨率:1uV

溫度變化測量范圍:80-400K

工作電源:AC 220V;50Hz

功率范圍:200W

霍爾效應測試儀實驗裝置:

變溫霍爾測試儀主要是由電磁鐵、可自動換向穩流源、恒溫器、測溫控溫系統、數據采集及數據處理系統等。

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